Hem
Produkter
Tillverkare
Om DiGi
Kontakta oss
Bloggar & Inlägg
RFQ/Offert
Sweden
Logga in
Valfri språk
Aktuellt språk av ditt val:
Sweden
Byt:
Engelska
Europa
Storbritannien
Frankrike
Spanien
Turkiet
Moldavien
Litauen
Norge
Tyskland
Portugal
Slovakien
Italien
Finland
Ryska
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraina
Slovenien
Tjeckiska
Grekiska
Kroatien
Israel
Serbien
Vitryssland
Nederländerna
Sverige
Montenegro
Baskiska
Island
Bosnien
Ungerska
Rumänien
Österrike
Belgien
Irland
Asien / Stillahavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong (Hongkong)
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudiarabien
Qatar
Kuwait
Kambodja
Myanmar
Afrika, Indien och Mellanöstern
Förenade Arabemiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocko
Tunisien
Sydamerika / Oceanien
Nya Zeeland
Angola
Brasilien
Moçambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om oss
Om oss
Våra certifieringar
DiGi Introduktion
Varför DiGi
Policy
Kvalitetspolicy
Användarvillkor
RoHS-efterlevnad
Returprocess
Resurser
Produktkategorier
Tillverkare
Bloggar & Inlägg
Tjänster
Kvalitetsgaranti
Betalningssätt
Global frakt
Fraktkostnader
Vanliga frågor
Tillverkare Produktnummer:
IPD50R950CEATMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPD50R950CEATMA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 500V 4.3A TO252-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 500 V 4.3A (Tc) 53W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventarier:
Förfrågan Online
12803305
Begära offert
Antal
Minst 1
*
Företag
*
Kontakt namn
*
Telefon
*
E-post
Leveransadress
Meddelande
(
*
) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPD50R950CEATMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
-
Serie
CoolMOS™ CE
Produktens status
Discontinued at Digi-Key
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
500 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4.3A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
13V
rds på (max) @ id, vgs
950mOhm @ 1.2A, 13V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 100µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
10.5 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
231 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
53W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TO252-3
Paket / Fodral
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grundläggande produktnummer
IPD50R
Datablad och dokument
Datasheets
IPD50R950CEATMA1
HTML-Datasheet
IPD50R950CEATMA1-DG
Datablad
IPD50R950CE, IPU50R950CE
500V CoolMOS CE Brief
Ytterligare information
Standard-paket
2,500
Andra namn
IPD50R950CEATMA1-DG
SP001117712
IPD50R950CEATMA1CT
IPD50R950CEATMA1DKR
IPD50R950CEATMA1TR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
IPD50R950CEAUMA1
Tillverkare
Infineon Technologies
ANTAL TILLGÄNGLIGT
4115
DEL NUMMER
IPD50R950CEAUMA1-DG
ENHETSPRIS
0.18
Ersättnings typ
Parametric Equivalent
DELNUMMER
SPD04N50C3ATMA1
Tillverkare
Infineon Technologies
ANTAL TILLGÄNGLIGT
7723
DEL NUMMER
SPD04N50C3ATMA1-DG
ENHETSPRIS
0.57
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IRF1503PBF
MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB
IPS80R900P7AKMA1
MOSFET N-CH 800V 6A TO251-3
IPD80R3K3P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
IRFB4710PBF
MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB