Hem
Produkter
Tillverkare
Om DiGi
Kontakta oss
Bloggar & Inlägg
RFQ/Offert
Sweden
Logga in
Valfri språk
Aktuellt språk av ditt val:
Sweden
Byt:
Engelska
Europa
Storbritannien
Frankrike
Spanien
Turkiet
Moldavien
Litauen
Norge
Tyskland
Portugal
Slovakien
Italien
Finland
Ryska
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraina
Slovenien
Tjeckiska
Grekiska
Kroatien
Israel
Serbien
Vitryssland
Nederländerna
Sverige
Montenegro
Baskiska
Island
Bosnien
Ungerska
Rumänien
Österrike
Belgien
Irland
Asien / Stillahavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong (Hongkong)
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudiarabien
Qatar
Kuwait
Kambodja
Myanmar
Afrika, Indien och Mellanöstern
Förenade Arabemiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocko
Tunisien
Sydamerika / Oceanien
Nya Zeeland
Angola
Brasilien
Moçambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om oss
Om oss
Våra certifieringar
DiGi Introduktion
Varför DiGi
Policy
Kvalitetspolicy
Användarvillkor
RoHS-efterlevnad
Returprocess
Resurser
Produktkategorier
Tillverkare
Bloggar & Inlägg
Tjänster
Kvalitetsgaranti
Betalningssätt
Global frakt
Fraktkostnader
Vanliga frågor
Tillverkare Produktnummer:
IPD50N10S3L16ATMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPD50N10S3L16ATMA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 100V 50A TO252-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 100 V 50A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Inventarier:
2276 Pcs Ny Original I Lager
12801561
Begära offert
Antal
Minst 1
*
Företag
*
Kontakt namn
*
Telefon
*
E-post
Leveransadress
Meddelande
(
*
) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPD50N10S3L16ATMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
15mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 60µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
64 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4180 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
100W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TO252-3-11
Paket / Fodral
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grundläggande produktnummer
IPD50
Datablad och dokument
Datablad
IPD50N10S3L-16
Datasheets
IPD50N10S3L16ATMA1
HTML-Datasheet
IPD50N10S3L16ATMA1-DG
Ytterligare information
Standard-paket
2,500
Andra namn
IPD50N10S3L16ATMA1CT
IPD50N10S3L-16DKR
IPD50N10S3L-16CT-DG
IPD50N10S3L-16TR-DG
IPD50N10S3L-16
IPD50N10S3L-16TR
IPD50N10S3L16ATMA1DKR
IPD50N10S3L16ATMA1TR
IPD50N10S3L-16DKR-DG
IPD50N10S3L16
SP000386185
IPD50N10S3L-16-DG
IPD50N10S3L-16CT
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
DMT10H015LK3-13
Tillverkare
Diodes Incorporated
ANTAL TILLGÄNGLIGT
13598
DEL NUMMER
DMT10H015LK3-13-DG
ENHETSPRIS
0.40
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
TK55S10N1,LQ
Tillverkare
Toshiba Semiconductor and Storage
ANTAL TILLGÄNGLIGT
3549
DEL NUMMER
TK55S10N1,LQ-DG
ENHETSPRIS
1.14
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
SQD70140EL_GE3
Tillverkare
Vishay Siliconix
ANTAL TILLGÄNGLIGT
7504
DEL NUMMER
SQD70140EL_GE3-DG
ENHETSPRIS
0.41
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IAUT150N10S5N035ATMA1
MOSFET N-CH 100V 150A 8HSOF
IPD70R1K4CEAUMA1
MOSFET N-CH 700V 5.4A TO252-3
IPD70N12S311ATMA1
MOSFET N-CH 120V 70A TO252-31
IPI120N10S405AKSA1
MOSFET N-CH 100V 120A TO262-3