Tillverkare Produktnummer:
IPD33CN10NGATMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPD33CN10NGATMA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 100 V 27A (Tc) 58W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventarier:
30085 Pcs Ny Original I Lager
12805386
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPD33CN10NGATMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
27A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
33mOhm @ 27A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 29µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1570 pF @ 50 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
58W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TO252-3
Paket / Fodral
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grundläggande produktnummer
IPD33CN10
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
2,500
Andra namn
IPD33CN10NGATMA1-DG
IPD33CN10NGATMA1CT
IPD33CN10NGATMA1TR
SP001127812
IPD33CN10NGATMA1DKR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IRF7809PBF
MOSFET N-CH 28V 14.5A 8SO
IRF7703
MOSFET P-CH 40V 6A 8TSSOP
IRF1404ZSTRL
MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK
