Tillverkare Produktnummer:
IPD30N10S3L34ATMA2
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPD30N10S3L34ATMA2-DG
Beskrivning:
MOSFET_(75V 120V(
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 100 V 30A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Inventarier:
13269117
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPD30N10S3L34ATMA2 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
31mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 29µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1976 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
57W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gradera
Automotive
Kvalifikation
AEC-Q101
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TO252-3-11
Paket / Fodral
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Ytterligare information
Standard-paket
2,500
Andra namn
SP005549680
448-IPD30N10S3L34ATMA2TR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
DMT35M4LPSW-13
MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI506
IMDQ75R140M1HXUMA1
SILICON CARBIDE MOSFET
DMT15H053SPSW-13
MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5