Tillverkare Produktnummer:
IPD30N10S3L34ATMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPD30N10S3L34ATMA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 100V 30A TO252-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 100 V 30A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Inventarier:
35870 Pcs Ny Original I Lager
12803954
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPD30N10S3L34ATMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
31mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 29µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1976 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
57W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TO252-3-11
Paket / Fodral
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grundläggande produktnummer
IPD30N10
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
2,500
Andra namn
IPD30N10S3L-34TR
IPD30N10S3L-34DKR
IPD30N10S3L34ATMA1DKR
IPD30N10S3L-34CT-DG
IPD30N10S3L34
SP000261248
IPD30N10S3L-34DKR-DG
IPD30N10S3L34ATMA1CT
IPD30N10S3L-34
IPD30N10S3L-34TR-DG
IPD30N10S3L-34CT
IPD30N10S3L-34-DG
IPD30N10S3L34ATMA1TR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IRF8788TRPBF
MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
IPI120N06S402AKSA2
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
IRFH5104TR2PBF
MOSFET N-CH 40V 24A/100A PQFN
