Tillverkare Produktnummer:
IPD075N03LGATMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPD075N03LGATMA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 30 V 50A (Tc) 47W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Inventarier:
17958 Pcs Ny Original I Lager
12801381
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPD075N03LGATMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
30 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
7.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1900 pF @ 15 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
47W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TO252-3-11
Paket / Fodral
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grundläggande produktnummer
IPD075
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
2,500
Andra namn
INFINFIPD075N03LGATMA1
IPD075N03LGINTR
IPD075N03LG
IPD075N03LGINTR-DG
IPD075N03LGATMA1CT
IPD075N03LGINDKR
IPD075N03LGATMA1TR
IPD075N03LGINCT-DG
IPD075N03LGINDKR-DG
IPD075N03L G
2156-IPD075N03LGATMA1
IPD075N03LGINCT
IPD075N03LGXT
IPD075N03LGATMA1DKR
SP000680634
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IPB79CN10N G
MOSFET N-CH 100V 13A D2PAK
BSZ0945NDXTMA1
TRENCH <= 40V
BSP322PH6327XTSA1
MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4
