Tillverkare Produktnummer:
IPD068N10N3GATMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPD068N10N3GATMA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 100 V 90A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventarier:
10507 Pcs Ny Original I Lager
13064013
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPD068N10N3GATMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
OptiMOS™
Emballage
Tape & Reel (TR)
Status för delar
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
6V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
6.8mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 90µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4910 pF @ 50 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
150W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TO252-3
Paket / Fodral
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grundläggande produktnummer
IPD068
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
2,500
Andra namn
IPD068N10N3GATMA1TR
SP001127816
IPD068N10N3GATMA1DKR
IPD068N10N3GATMA1CT
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IPB65R045C7ATMA1
MOSFET N-CH 650V 46A D2PAK
IPD530N15N3GBTMA1
MOSFET N-CH 150V 21A TO252-3
IPB45N04S4L08ATMA1
MOSFET N-CH 40V 45A TO263-3-2
