Tillverkare Produktnummer:
IPD031N03LGATMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPD031N03LGATMA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 30 V 90A (Tc) 94W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Inventarier:
4331 Pcs Ny Original I Lager
12801482
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPD031N03LGATMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
30 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
3.1mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5300 pF @ 15 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
94W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TO252-3-11
Paket / Fodral
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grundläggande produktnummer
IPD031
Datablad och dokument
Datasheets
HTML-Datasheet
Ytterligare information
Standard-paket
2,500
Andra namn
IPD021N03LGINTR-DG
IPD021N03LGINCT-DG
IPD031N03LGATMA1CT
IPD021N03LGINDKR-DG
IPD031N03LGINTR-DG
IPD031N03LGINCT-DG
IPD031N03L G
IPD031N03LGATMA1TR
IPD021N03LGINCT
IPD021N03LGINDKR
IPD031N03LG
IPD031N03LGXT
IPD031N03LGATMA1DKR
IPD031N03LGINDKR-DG
IPD031N03LGINCT
SP000680554
IPD021N03LGINTR
IPD021N03LG
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IPP11N03LA
MOSFET N-CH 25V 30A TO220-3
IPAN70R450P7SXKSA1
MOSFET N-CH 700V 10A TO220
IPB45N06S409ATMA1
MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3
