IPC218N04N3X7SA1
Tillverkare Produktnummer:

IPC218N04N3X7SA1

Product Overview

Tillverkare:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Delenummer:

IPC218N04N3X7SA1-DG

Beskrivning:

MV POWER MOS
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 40 V Surface Mount Die

Inventarier:

Förfrågan Online
12803417
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

IPC218N04N3X7SA1 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Bulk
Serie
OptiMOS™ 3
Produktens status
Not For New Designs
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
40 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
-
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
50mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 200µA
Vgs (max)
-
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
-
Drifttemperatur
-
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
Die
Paket / Fodral
Die
Grundläggande produktnummer
IPC218

Datablad och dokument

Datablad
IPC218N04N3
Datasheets
IPC218N04N3X7SA1
HTML-Datasheet
IPC218N04N3X7SA1-DG

Ytterligare information

Standard-paket
1
Andra namn
SP001155550

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
infineon-technologies

IPC30S2SN08NX2MA1

MV POWER MOS

infineon-technologies

IPB60R299CPATMA1

MOSFET N-CH 600V 11A TO263-3

infineon-technologies

IPP03N03LB G

MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3

infineon-technologies

IPP60R450E6XKSA1

MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220-3