Tillverkare Produktnummer:
IPBE65R145CFD7AATMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPBE65R145CFD7AATMA1-DG
Beskrivning:
AUTOMOTIVE PG-TO263-7
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 650 V 17A (Tc) 98W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-11
Inventarier:
12968897
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPBE65R145CFD7AATMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolMOS™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
650 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
145mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 420µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1694 pF @ 400 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
98W (Tc)
Drifttemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TO263-7-11
Paket / Fodral
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Grundläggande produktnummer
IPBE65R
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
1,000
Andra namn
448-IPBE65R145CFD7AATMA1CT
SP005398484
448-IPBE65R145CFD7AATMA1TR
448-IPBE65R145CFD7AATMA1DKR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IPS60R280PFD7SAKMA1
CONSUMER PG-TO251-3
IPZ40N04S5L3R6ATMA1
MOSFET_(20V 40V) PG-TSDSON-8
IMBG65R107M1HXTMA1
SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
