Tillverkare Produktnummer:
IPB80N06S208ATMA2
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPB80N06S208ATMA2-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 55 V 80A (Tc) 215W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventarier:
12800411
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPB80N06S208ATMA2 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
-
Serie
OptiMOS™
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
55 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
7.7mOhm @ 58A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 150µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
96 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2860 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
215W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TO263-3-2
Paket / Fodral
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grundläggande produktnummer
IPB80N
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
1,000
Andra namn
SP001067884
INFINFIPB80N06S208ATMA2
2156-IPB80N06S208ATMA2
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
SQM110N05-06L_GE3
Tillverkare
Vishay Siliconix
ANTAL TILLGÄNGLIGT
1525
DEL NUMMER
SQM110N05-06L_GE3-DG
ENHETSPRIS
1.18
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
IXTA120N075T2
Tillverkare
IXYS
ANTAL TILLGÄNGLIGT
0
DEL NUMMER
IXTA120N075T2-DG
ENHETSPRIS
2.55
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IPD06P003NATMA1
MOSFET P-CH 60V 22A TO252-3
IPD70P04P4L08ATMA1
MOSFET P-CH 40V 70A TO252-3
IPC60N04S406ATMA1
MOSFET N-CH 40V 60A TDSON-8-23
