Tillverkare Produktnummer:
IPB80N04S2H4-ATMA2
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPB80N04S2H4-ATMA2-DG
Beskrivning:
N-CHANNEL POWER MOSFET
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 40 V 80A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventarier:
12967927
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPB80N04S2H4-ATMA2 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
-
Serie
CoolMOS™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
40 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
3.7mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
148 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4400 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
300W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TO263-3-2
Paket / Fodral
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
144
Andra namn
INFINFIPB80N04S2H4-ATMA2
2156-IPB80N04S2H4-ATMA2
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
Not applicable
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Affected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
H5N2901LSTL-E
N-CHANNEL POWER MOSFET
PMN27XPE115
NEXPERIA PMN27XPE - SMALL SIGNAL
IRFU220BTU
IRFU220 - HEXFET N-CHANNEL POWER
