Tillverkare Produktnummer:
IPB70N12S311ATMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPB70N12S311ATMA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CHANNEL_100+
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 120 V 70A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventarier:
12846787
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPB70N12S311ATMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
-
Serie
OptiMOS™
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
120 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
70A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
12.1mOhm @ 70A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 83µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
77 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5550 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
125W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gradera
Automotive
Kvalifikation
AEC-Q101
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TO263-3-2
Paket / Fodral
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grundläggande produktnummer
IPB70N12
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
1,000
Andra namn
SP001398604
INFINFIPB70N12S311ATMA1
2156-IPB70N12S311ATMA1
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
FQP19N20
MOSFET N-CH 200V 19.4A TO220-3
FDS6690A
MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC
HUFA75639S3ST-F085A
MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK