Tillverkare Produktnummer:
IPB65R660CFDAATMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPB65R660CFDAATMA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 650V 6A D2PAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 650 V 6A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventarier:
4518 Pcs Ny Original I Lager
12801349
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
DugD
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPB65R660CFDAATMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolMOS™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
650 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
660mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 200µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
543 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
62.5W (Tc)
Drifttemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Gradera
Automotive
Kvalifikation
AEC-Q101
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TO263-3
Paket / Fodral
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grundläggande produktnummer
IPB65R660
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
1,000
Andra namn
448-IPB65R660CFDAATMA1TR
448-IPB65R660CFDAATMA1DKR
IPB65R660CFDAATMA1-DG
2156-IPB65R660CFDAATMA1
448-IPB65R660CFDAATMA1CT
SP000875794
INFINFIPB65R660CFDAATMA1
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IPB80N06S2H5ATMA2
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
IPD65R380C6BTMA1
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3
IPB65R065C7ATMA2
MOSFET N-CH 650V 33A TO263-3
