Tillverkare Produktnummer:
IPB50R199CPATMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPB50R199CPATMA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 550V 17A TO263-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 550 V 17A (Tc) 139W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventarier:
12801306
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPB50R199CPATMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolMOS™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
550 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
199mOhm @ 9.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 660µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1800 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
139W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TO263-3-2
Paket / Fodral
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grundläggande produktnummer
IPB50R199
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
1,000
Andra namn
IPB50R199CP
IFEINFIPB50R199CPATMA1
IPB50R199CP-DG
IPB50R199CPATMA1TR
SP000236092
2156-IPB50R199CPATMA1
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
STB20N65M5
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
845
DEL NUMMER
STB20N65M5-DG
ENHETSPRIS
1.46
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
BSS119L6433HTMA1
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
IPB09N03LA G
MOSFET N-CH 25V 50A TO263-3
IPD85P04P407ATMA1
MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3