Tillverkare Produktnummer:
IPB50N10S3L16ATMA2
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPB50N10S3L16ATMA2-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 100 V 50A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventarier:
12989490
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPB50N10S3L16ATMA2 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS®-T
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
15.7mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 60µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
64 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4180 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
100W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gradera
Automotive
Kvalifikation
AEC-Q101
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TO263-3-2
Paket / Fodral
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
1,000
Andra namn
448-IPB50N10S3L16ATMA2TR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
C3M0120065L-TR
SIC, MOSFET, 120M, 650V, TOLL, I
C3M0045065L-TR
SIC, MOSFET, 45M, 650V, TOLL, IN
C3M0060065L-TR
SIC, MOSFET, 60M, 650V, TOLL, IN
