Tillverkare Produktnummer:
IPB50CN10NGATMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPB50CN10NGATMA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 100V 20A TO263-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 100 V 20A (Tc) 44W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventarier:
12799914
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPB50CN10NGATMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
-
Serie
OptiMOS™
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
50mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 20µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1090 pF @ 50 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
44W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TO263-3-2
Paket / Fodral
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datablad och dokument
Datasheets
HTML-Datasheet
Ytterligare information
Standard-paket
1,000
Andra namn
SP000277696
IPB50CN10N G
INFINFIPB50CN10NGATMA1
IPB50CN10NGATMA1TR
IPB50CN10N G-DG
2156-IPB50CN10NGATMA1-ITTR
Miljö- och exportklassificering
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
STB30NF10T4
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
971
DEL NUMMER
STB30NF10T4-DG
ENHETSPRIS
0.66
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
PHB27NQ10T,118
Tillverkare
Nexperia USA Inc.
ANTAL TILLGÄNGLIGT
7068
DEL NUMMER
PHB27NQ10T,118-DG
ENHETSPRIS
0.55
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IPA80R460CEXKSA1
MOSFET N-CH 800V 5A TO220
IPD053N06NATMA1
MOSFET N-CH 60V 18A/45A TO252-3
IPB06N03LAT
MOSFET N-CH 25V 50A TO263-3
