Hem
Produkter
Tillverkare
Om DiGi
Kontakta oss
Bloggar & Inlägg
RFQ/Offert
Sweden
Logga in
Valfri språk
Aktuellt språk av ditt val:
Sweden
Byt:
Engelska
Europa
Storbritannien
Frankrike
Spanien
Turkiet
Moldavien
Litauen
Norge
Tyskland
Portugal
Slovakien
Italien
Finland
Ryska
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraina
Slovenien
Tjeckiska
Grekiska
Kroatien
Israel
Serbien
Vitryssland
Nederländerna
Sverige
Montenegro
Baskiska
Island
Bosnien
Ungerska
Rumänien
Österrike
Belgien
Irland
Asien / Stillahavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong (Hongkong)
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudiarabien
Qatar
Kuwait
Kambodja
Myanmar
Afrika, Indien och Mellanöstern
Förenade Arabemiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocko
Tunisien
Sydamerika / Oceanien
Nya Zeeland
Angola
Brasilien
Moçambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om oss
Om oss
Våra certifieringar
DiGi Introduktion
Varför DiGi
Policy
Kvalitetspolicy
Användarvillkor
RoHS-efterlevnad
Returprocess
Resurser
Produktkategorier
Tillverkare
Bloggar & Inlägg
Tjänster
Kvalitetsgaranti
Betalningssätt
Global frakt
Fraktkostnader
Vanliga frågor
Tillverkare Produktnummer:
IPB50CN10NGATMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPB50CN10NGATMA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 100V 20A TO263-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 100 V 20A (Tc) 44W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventarier:
Förfrågan Online
12799914
Begära offert
Antal
Minst 1
*
Företag
*
Kontakt namn
*
Telefon
*
E-post
Leveransadress
Meddelande
(
*
) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPB50CN10NGATMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
-
Serie
OptiMOS™
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
50mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 20µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1090 pF @ 50 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
44W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TO263-3-2
Paket / Fodral
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datablad och dokument
Datasheets
IPB50CN10NGATMA1
HTML-Datasheet
IPB50CN10NGATMA1-DG
Ytterligare information
Standard-paket
1,000
Andra namn
SP000277696
IPB50CN10N G
INFINFIPB50CN10NGATMA1
IPB50CN10NGATMA1TR
IPB50CN10N G-DG
2156-IPB50CN10NGATMA1-ITTR
Miljö- och exportklassificering
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
STB30NF10T4
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
971
DEL NUMMER
STB30NF10T4-DG
ENHETSPRIS
0.66
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
PHB27NQ10T,118
Tillverkare
Nexperia USA Inc.
ANTAL TILLGÄNGLIGT
7068
DEL NUMMER
PHB27NQ10T,118-DG
ENHETSPRIS
0.55
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IPA80R460CEXKSA1
MOSFET N-CH 800V 5A TO220
IPD053N06NATMA1
MOSFET N-CH 60V 18A/45A TO252-3
IPB06N03LAT
MOSFET N-CH 25V 50A TO263-3
IAUC100N10S5L040ATMA1
MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON-34