Tillverkare Produktnummer:
IPB117N20NFDATMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPB117N20NFDATMA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 200V 84A TO263-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 200 V 84A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventarier:
900 Pcs Ny Original I Lager
12800602
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPB117N20NFDATMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
200 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
84A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
11.7mOhm @ 84A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 270µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
87 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
6650 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
300W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TO263-3-2
Paket / Fodral
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grundläggande produktnummer
IPB117
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
1,000
Andra namn
IPB117N20NFDATMA1-DG
IPB117N20NFDATMA1CT
IPB117N20NFDATMA1TR
IPB117N20NFDATMA1DKR
SP001107232
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
IXFA90N20X3
Tillverkare
IXYS
ANTAL TILLGÄNGLIGT
16
DEL NUMMER
IXFA90N20X3-DG
ENHETSPRIS
5.14
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IPC100N04S5L1R5ATMA1
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
IPB036N12N3GATMA1
MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7
IPD50R1K4CEBTMA1
MOSFET N-CH 500V 3.1A TO252-3
