Tillverkare Produktnummer:
IPB107N20N3GATMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPB107N20N3GATMA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 200V 88A D2PAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 200 V 88A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventarier:
9323 Pcs Ny Original I Lager
12801152
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPB107N20N3GATMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
200 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
88A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
10.7mOhm @ 88A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 270µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
87 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
7100 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
300W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TO263-3
Paket / Fodral
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grundläggande produktnummer
IPB107
Datablad och dokument
Datablad
Datasheets
HTML-Datasheet
Ytterligare information
Standard-paket
1,000
Andra namn
IPB107N20N3 G
IPB107N20N3GATMA1CT
IPB107N20N3 GCT
IPB107N20N3 GCT-DG
IPB107N20N3 GTR-DG
IPB107N20N3 G-DG
SP000676406
IPB107N20N3 GTR
IPB107N20N3 GDKR-DG
IPB107N20N3 GDKR
IPB107N20N3G
IPB107N20N3GATMA1DKR
IPB107N20N3GATMA1TR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
TP0606N3-G-P002
MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3
IPB45N06S4L08ATMA3
MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3
IPD90N06S405ATMA2
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31
