Tillverkare Produktnummer:
IPB083N15N5LFATMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPB083N15N5LFATMA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 150V 105A D2PAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 150 V 105A (Tc) 179W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventarier:
12803929
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPB083N15N5LFATMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
150 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
105A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
8.3mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.9V @ 134µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
210 pF @ 75 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
179W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TO263-3
Paket / Fodral
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grundläggande produktnummer
IPB083
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
1,000
Andra namn
IPB083N15N5LFATMA1TR
IPB083N15N5LFATMA1DKR
SP001503862
2156-IPB083N15N5LFATMA1
IFEINFIPB083N15N5LFATMA1
IPB083N15N5LFATMA1CT
IPB083N15N5LFATMA1-DG
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IPW65R190C6FKSA1
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247-3
IRF100S201
MOSFET N-CH 100V 192A D2PAK
IRFR3504TRPBF
MOSFET N-CH 40V 30A DPAK
