Tillverkare Produktnummer:
IPB072N15N3GATMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPB072N15N3GATMA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 150 V 100A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventarier:
4910 Pcs Ny Original I Lager
12801285
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPB072N15N3GATMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
150 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
8V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
7.2mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 270µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
93 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5470 pF @ 75 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
300W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TO263-3-2
Paket / Fodral
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grundläggande produktnummer
IPB072
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
1,000
Andra namn
IPB072N15N3G
IPB072N15N3GATMA1TR
IPB072N15N3 GTR-DG
IPB072N15N3 GCT-DG
IPB072N15N3GATMA1DKR
SP000386664
IPB072N15N3 G-DG
IPB072N15N3GATMA1CT
IPB072N15N3 G
IPB072N15N3 GCT
IPB072N15N3 GDKR-DG
IPB072N15N3 GDKR
2156-IPB072N15N3GATMA1
INFINFIPB072N15N3GATMA1
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
BSO110N03MSGXUMA1
MOSFET N-CH 30V 10A 8DSO
IPD046N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
IPI65R190CFDXKSA2
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO262-3
