Tillverkare Produktnummer:
IPB029N06N3GE8187ATMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPB029N06N3GE8187ATMA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 188W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventarier:
12803226
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPB029N06N3GE8187ATMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
3.2mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 118µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
165 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
13000 pF @ 30 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
188W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TO263-3
Paket / Fodral
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grundläggande produktnummer
IPB029
Datablad och dokument
Datablad
Datasheets
HTML-Datasheet
Ytterligare information
Standard-paket
1,000
Andra namn
IPB029N06N3 G E8187-DG
448-IPB029N06N3GE8187ATMA1DKR
SP000939334
IPB029N06N3GE8187ATMA1TR-DG
448-IPB029N06N3GE8187ATMA1TR
IPB029N06N3 G E8187
IPB029N06N3GE8187ATMA1TR
2156-IPB029N06N3GE8187ATMA1TR
448-IPB029N06N3GE8187ATMA1CT
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IPT020N10N3ATMA1
MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
IPW60R280P6FKSA1
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247-3
IRFH5110TRPBF
MOSFET N-CH 100V 11A/63A 8PQFN
