Tillverkare Produktnummer:
IPB026N10NF2SATMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPB026N10NF2SATMA1-DG
Beskrivning:
TRENCH >=100V
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 100 V 162A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventarier:
44 Pcs Ny Original I Lager
12976346
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPB026N10NF2SATMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
StrongIRFET™ 2
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
162A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
6V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
2.65mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 169µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
154 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
7300 pF @ 50 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
250W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TO263-3
Paket / Fodral
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grundläggande produktnummer
IPB026N
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
800
Andra namn
448-IPB026N10NF2SATMA1DKR
448-IPB026N10NF2SATMA1TR
SP005571706
448-IPB026N10NF2SATMA1CT
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IMW120R014M1HXKSA1
SIC DISCRETE
IPF024N10NF2SATMA1
TRENCH >=100V
IWM023N08NM5XUMA1
TRENCH 40<-<100V