Tillverkare Produktnummer:
IPB025N08N3GATMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPB025N08N3GATMA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 80 V 120A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventarier:
15101 Pcs Ny Original I Lager
12800373
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
VPAt
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPB025N08N3GATMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
80 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
6V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
2.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 270µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
206 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
14200 pF @ 40 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
300W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TO263-3
Paket / Fodral
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grundläggande produktnummer
IPB025
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
1,000
Andra namn
IPB025N08N3GATMA1CT
IPB025N08N3 G-DG
IPB025N08N3 GTR-DG
IPB025N08N3G
IPB025N08N3 GCT
IPB025N08N3 GCT-DG
IPB025N08N3 GDKR-DG
2156-IPB025N08N3GATMA1
IPB025N08N3GATMA1TR
SP000311980
IPB025N08N3 G
INFINFIPB025N08N3GATMA1
IPB025N08N3 GDKR
IPB025N08N3GATMA1DKR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IPD90N06S407ATMA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
IAUC100N10S5N040ATMA1
MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON-34
IPP075N15N3GXKSA1
MOSFET N-CH 150V 100A TO220-3
