IPB024N08N5ATMA1
Tillverkare Produktnummer:

IPB024N08N5ATMA1

Product Overview

Tillverkare:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Delenummer:

IPB024N08N5ATMA1-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 80 V 120A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3

Inventarier:

990 Pcs Ny Original I Lager
12800645
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

IPB024N08N5ATMA1 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
80 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
6V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
2.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 154µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
123 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
8970 pF @ 40 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
214W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TO263-3
Paket / Fodral
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grundläggande produktnummer
IPB024

Datablad och dokument

Ytterligare information

Standard-paket
1,000
Andra namn
IPB024N08N5ATMA1-DG
448-IPB024N08N5ATMA1TR
INFINFIPB024N08N5ATMA1
448-IPB024N08N5ATMA1DKR
SP001227044
2156-IPB024N08N5ATMA1
448-IPB024N08N5ATMA1CT

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
infineon-technologies

IPD15N06S2L64ATMA2

MOSFET N-CH 55V 19A TO252-31

infineon-technologies

IPD60R1K5CEATMA1

MOSFET N-CH 600V 3.1A TO252-3

infineon-technologies

BSS138NL6433HTMA1

MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3

infineon-technologies

BSP123E6327T

MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223-4