Tillverkare Produktnummer:
IPB016N06L3GATMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPB016N06L3GATMA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 60 V 180A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
Inventarier:
9490 Pcs Ny Original I Lager
12801109
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPB016N06L3GATMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
1.6mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 196µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
166 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
28000 pF @ 30 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
250W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TO263-7
Paket / Fodral
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Grundläggande produktnummer
IPB016
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
1,000
Andra namn
IPB016N06L3G
IPB016N06L3 GCT-DG
IPB016N06L3 GDKR-DG
IPB016N06L3GATMA1DKR
IPB016N06L3 GDKR
IPB016N06L3 GCT
IPB016N06L3 G
IPB016N06L3GATMA1CT
IPB016N06L3 G-DG
IPB016N06L3 GTR-DG
SP000453040
IPB016N06L3GATMA1TR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IRFR3103TRR
MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
IPB90N06S404ATMA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
IPD60R520C6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 8.1A TO252-3
