Tillverkare Produktnummer:
IPB015N04NGATMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPB015N04NGATMA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 40 V 120A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventarier:
2165 Pcs Ny Original I Lager
12803164
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPB015N04NGATMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
40 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
1.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 200µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
250 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
20000 pF @ 20 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
250W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TO263-3
Paket / Fodral
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grundläggande produktnummer
IPB015
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
1,000
Andra namn
IPB015N04N G-DG
IPB015N04N G
IPB015N04N GDKR
IPB015N04NGATMA1CT
IPB015N04N GDKR-DG
SP000391522
IPB015N04N GTR
IPB015N04N GCT-DG
IPB015N04NGATMA1TR
IPB015N04N GCT
IPB015N04NG
IPB015N04N GTR-DG
IPB015N04NGATMA1DKR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IRF9410
MOSFET N-CH 30V 7A 8SO
IRF7353D1TRPBF
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO
BSC080N03MSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 13A/53A TDSON
