Hem
Produkter
Tillverkare
Om DiGi
Kontakta oss
Bloggar & Inlägg
RFQ/Offert
Sweden
Logga in
Valfri språk
Aktuellt språk av ditt val:
Sweden
Byt:
Engelska
Europa
Storbritannien
Frankrike
Spanien
Turkiet
Moldavien
Litauen
Norge
Tyskland
Portugal
Slovakien
Italien
Finland
Ryska
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraina
Slovenien
Tjeckiska
Grekiska
Kroatien
Israel
Serbien
Vitryssland
Nederländerna
Sverige
Montenegro
Baskiska
Island
Bosnien
Ungerska
Rumänien
Österrike
Belgien
Irland
Asien / Stillahavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong (Hongkong)
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudiarabien
Qatar
Kuwait
Kambodja
Myanmar
Afrika, Indien och Mellanöstern
Förenade Arabemiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocko
Tunisien
Sydamerika / Oceanien
Nya Zeeland
Angola
Brasilien
Moçambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om oss
Om oss
Våra certifieringar
DiGi Introduktion
Varför DiGi
Policy
Kvalitetspolicy
Användarvillkor
RoHS-efterlevnad
Returprocess
Resurser
Produktkategorier
Tillverkare
Bloggar & Inlägg
Tjänster
Kvalitetsgaranti
Betalningssätt
Global frakt
Fraktkostnader
Vanliga frågor
Tillverkare Produktnummer:
IPAW60R280CEXKSA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPAW60R280CEXKSA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 600V 19.3A TO220
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 19.3A (Tc) 32W (Tc) Through Hole PG-TO220 Full Pack, Wide Creepage
Inventarier:
Förfrågan Online
12802994
Begära offert
Antal
Minst 1
*
Företag
*
Kontakt namn
*
Telefon
*
E-post
Leveransadress
Meddelande
(
*
) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPAW60R280CEXKSA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
-
Serie
CoolMOS™
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
19.3A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
280mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 430µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
43 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
950 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
32W (Tc)
Drifttemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
PG-TO220 Full Pack, Wide Creepage
Paket / Fodral
TO-220-3 Full Pack, Variant
Grundläggande produktnummer
IPAW60
Datablad och dokument
Datablad
IPAW60R280CE
Datasheets
IPAW60R280CEXKSA1
HTML-Datasheet
IPAW60R280CEXKSA1-DG
Ytterligare information
Standard-paket
450
Andra namn
INFINFIPAW60R280CEXKSA1
SP001391614
2156-IPAW60R280CEXKSA1
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
IPAW60R280P7SXKSA1
Tillverkare
Infineon Technologies
ANTAL TILLGÄNGLIGT
0
DEL NUMMER
IPAW60R280P7SXKSA1-DG
ENHETSPRIS
0.72
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
R6015ENX
Tillverkare
Rohm Semiconductor
ANTAL TILLGÄNGLIGT
23
DEL NUMMER
R6015ENX-DG
ENHETSPRIS
1.61
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
AUIRF9Z34N
MOSFET P-CH 55V 19A TO220AB
IRFZ34NSTRR
MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK
IRFR4104TRL
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
IPD042P03L3GBTMA1
MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3