Tillverkare Produktnummer:
IPA80R1K0CEXKSA2
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPA80R1K0CEXKSA2-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 800V 5.7A TO220-FP
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 800 V 5.7A (Tc) 32W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Inventarier:
12799447
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
THoq
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPA80R1K0CEXKSA2 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tube
Serie
CoolMOS™ CE
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
800 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
5.7A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
950mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
785 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
32W (Tc)
Drifttemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
PG-TO220-FP
Paket / Fodral
TO-220-3 Full Pack
Grundläggande produktnummer
IPA80R1
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
50
Andra namn
SP001313392
2156-IPA80R1K0CEXKSA2
INFINFIPA80R1K0CEXKSA2
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
STF10N65K3
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
952
DEL NUMMER
STF10N65K3-DG
ENHETSPRIS
0.66
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
FQPF7N60
Tillverkare
onsemi
ANTAL TILLGÄNGLIGT
21
DEL NUMMER
FQPF7N60-DG
ENHETSPRIS
2.17
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
MIC94051YM4-TR
MOSFET P-CH 6V 1.8A SOT143
BSB019N03LX G
MOSFET N-CH 30V 32A/174A 2WDSON
IPA60R360P7SXKSA1
MOSFET N-CH 600V 9A TO220
