IPA65R225C7
Tillverkare Produktnummer:

IPA65R225C7

Product Overview

Tillverkare:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Delenummer:

IPA65R225C7-DG

Beskrivning:

IPA65R225 - 650V AND 700V COOLMO
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 650 V 7A (Tc) 29W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-111

Inventarier:

12946741
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

IPA65R225C7 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
-
Serie
CoolMOS™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
650 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
225mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 240µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
996 pF @ 400 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
29W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
PG-TO220-3-111
Paket / Fodral
TO-220-3 Full Pack

Datablad och dokument

Ytterligare information

Standard-paket
213
Andra namn
INFINFIPA65R225C7
2156-IPA65R225C7

Miljö- och exportklassificering

ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8542.39.0001
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
international-rectifier

IRL7486MTRPBF

IRL7486M - 12V-300V N-CHANNEL PO

fairchild-semiconductor

FQPF3N25

MOSFET N-CH 250V 2.3A TO220F

international-rectifier

AUIRF1405ZL

MOSFET N-CH 55V 150A TO262

fairchild-semiconductor

FQI27N25TU

MOSFET N-CH 250V 25.5A I2PAK