Tillverkare Produktnummer:
IPA65R1K0CEXKSA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPA65R1K0CEXKSA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 650V 7.2A TO220
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 650 V 7.2A (Tc) 68W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Inventarier:
12803274
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPA65R1K0CEXKSA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tube
Serie
CoolMOS™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
650 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
7.2A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
1Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 200µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
15.3 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
328 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
68W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
PG-TO220-FP
Paket / Fodral
TO-220-3 Full Pack
Grundläggande produktnummer
IPA65R1
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
50
Andra namn
2156-IPA65R1K0CEXKSA1
ROCINFIPA65R1K0CEXKSA1
SP001429758
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
STF10N65K3
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
952
DEL NUMMER
STF10N65K3-DG
ENHETSPRIS
0.66
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
TK6A65D(STA4,Q,M)
Tillverkare
Toshiba Semiconductor and Storage
ANTAL TILLGÄNGLIGT
35
DEL NUMMER
TK6A65D(STA4,Q,M)-DG
ENHETSPRIS
0.73
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IRF2804STRRPBF
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
IRF9333TRPBF
MOSFET P-CH 30V 9.2A 8SO
IPP50R280CEXKSA1
MOSFET N-CH 500V 13A TO220-3
