Tillverkare Produktnummer:
IPA65R190C7XKSA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPA65R190C7XKSA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 650V 8A TO220-FP
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 650 V 8A (Tc) 30W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Inventarier:
12799124
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPA65R190C7XKSA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tube
Serie
CoolMOS™ C7
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
650 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
190mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 290µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1150 pF @ 400 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
30W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
PG-TO220-FP
Paket / Fodral
TO-220-3 Full Pack
Grundläggande produktnummer
IPA65R
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
50
Andra namn
SP001080140
IFEINFIPA65R190C7XKSA1
2156-IPA65R190C7XKSA1
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
STF28NM60ND
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
940
DEL NUMMER
STF28NM60ND-DG
ENHETSPRIS
4.07
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
TK16A60W,S4VX
Tillverkare
Toshiba Semiconductor and Storage
ANTAL TILLGÄNGLIGT
19
DEL NUMMER
TK16A60W,S4VX-DG
ENHETSPRIS
1.18
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
AUIRF4104
MOSFET N-CH 40V 75A TO220
BSC032NE2LSATMA1
MOSFET N-CH 25V 22A/84A TDSON
BSC014N04LSATMA1
MOSFET N-CH 40V 32/100A SUPERSO8
