IPA65R190C7
Tillverkare Produktnummer:

IPA65R190C7

Product Overview

Tillverkare:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Delenummer:

IPA65R190C7-DG

Beskrivning:

IPA65R190 - 650V AND 700V COOLMO
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 650 V 8A (Tc) 30W (Tc) Through Hole PG-TO220 Full Pack

Inventarier:

Förfrågan Online
12946881
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

IPA65R190C7 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
-
Serie
CoolMOS™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
650 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
190mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 290µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1150 pF @ 400 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
30W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
PG-TO220 Full Pack
Paket / Fodral
TO-220-3 Full Pack

Datablad och dokument

Datablad
IPA65R190C7 Datasheet

Ytterligare information

Standard-paket
194
Andra namn
2156-IPA65R190C7
IFEINFIPA65R190C7

Miljö- och exportklassificering

ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8542.39.0001
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
fairchild-semiconductor

FDPF5N50FT

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4

fairchild-semiconductor

FDA16N50LDTU

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N

international-rectifier

IRFH7914TRPBF

IRFH7914 - 12V-300V N-CHANNEL PO

fairchild-semiconductor

FDPF12N50NZ

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1