IPA60R120P7XKSA1
Tillverkare Produktnummer:

IPA60R120P7XKSA1

Product Overview

Tillverkare:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Delenummer:

IPA60R120P7XKSA1-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 600V 26A TO220
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 26A (Tc) 28W (Tc) Through Hole PG-TO220 Full Pack

Inventarier:

188 Pcs Ny Original I Lager
12800353
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

IPA60R120P7XKSA1 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tube
Serie
CoolMOS™ P7
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
26A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
120mOhm @ 8.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 410µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1544 pF @ 400 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
28W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
PG-TO220 Full Pack
Paket / Fodral
TO-220-3 Full Pack
Grundläggande produktnummer
IPA60R

Datablad och dokument

Ytterligare information

Standard-paket
50
Andra namn
2156-IPA60R120P7XKSA1
IFEINFIPA60R120P7XKSA1
SP001658376

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
infineon-technologies

IPB80P04P4L08ATMA1

MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3

infineon-technologies

IPD600N25N3GATMA1

MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3

infineon-technologies

IPI90R1K2C3XKSA2

MOSFET N-CH 900V 5.1A TO262-3

infineon-technologies

IAUA200N04S5N010AUMA1

MOSFET N-CH 40V 200A 5HSOF