Tillverkare Produktnummer:
IPA60R120P7XKSA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPA60R120P7XKSA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 600V 26A TO220
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 26A (Tc) 28W (Tc) Through Hole PG-TO220 Full Pack
Inventarier:
188 Pcs Ny Original I Lager
12800353
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPA60R120P7XKSA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tube
Serie
CoolMOS™ P7
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
26A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
120mOhm @ 8.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 410µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1544 pF @ 400 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
28W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
PG-TO220 Full Pack
Paket / Fodral
TO-220-3 Full Pack
Grundläggande produktnummer
IPA60R
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
50
Andra namn
2156-IPA60R120P7XKSA1
IFEINFIPA60R120P7XKSA1
SP001658376
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IPB80P04P4L08ATMA1
MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3
IPD600N25N3GATMA1
MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3
IPI90R1K2C3XKSA2
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO262-3
