Tillverkare Produktnummer:
IPA126N10N3GXKSA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPA126N10N3GXKSA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 100V 35A TO220-FP
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 100 V 35A (Tc) 33W (Tc) Through Hole PG-TO220 Full Pack
Inventarier:
12799720
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPA126N10N3GXKSA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
-
Serie
OptiMOS™
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
6V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
12.6mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 45µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2500 pF @ 50 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
33W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
PG-TO220 Full Pack
Paket / Fodral
TO-220-3 Full Pack
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
500
Andra namn
SP000485964
IPA126N10N3 G-DG
IPA126N10N3 G
IPA1-DG26N10N3GXKSA1-DG
IPA26N10N3GXKSA1-DG
IPA126N10N3G
2156-IPA126N10N3GXKSA1-448
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
IPA126N10NM3SXKSA1
Tillverkare
Infineon Technologies
ANTAL TILLGÄNGLIGT
491
DEL NUMMER
IPA126N10NM3SXKSA1-DG
ENHETSPRIS
0.69
Ersättnings typ
Direct
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IPA60R380E6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220-FP
BSZ22DN20NS3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 7A 8TSDSON
IPB015N04LGATMA1
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK