Tillverkare Produktnummer:
IPA082N10NF2SXKSA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPA082N10NF2SXKSA1-DG
Beskrivning:
TRENCH >=100V PG-TO220-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 100 V 46A (Tc) 35W (Tc) Through Hole PG-TO220 Full Pack
Inventarier:
118 Pcs Ny Original I Lager
12959060
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPA082N10NF2SXKSA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tube
Serie
StrongIRFET™ 2
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
46A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
6V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
8.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 46µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2000 pF @ 50 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
35W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
PG-TO220 Full Pack
Paket / Fodral
TO-220-3 Full Pack
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
50
Andra namn
SP005549094
448-IPA082N10NF2SXKSA1
2156-IPA082N10NF2SXKSA1
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
STO65N60DM6
N-CHANNEL 600 V, 67 MOHM TYP., 4
IPTG111N20NM3FDATMA1
TRENCH >=100V PG-HSOG-8
SIR450DP-T1-RE3
N-CHANNEL 45 V (D-S) MOSFET POWE
