IPA060N06NXKSA1
Tillverkare Produktnummer:

IPA060N06NXKSA1

Product Overview

Tillverkare:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Delenummer:

IPA060N06NXKSA1-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 60V 45A TO220-FP
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 60 V 45A (Tc) 33W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP

Inventarier:

412 Pcs Ny Original I Lager
12805046
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

IPA060N06NXKSA1 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tube
Serie
OptiMOS™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
45A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
6V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
6mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.3V @ 36µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2500 pF @ 30 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
33W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
PG-TO220-FP
Paket / Fodral
TO-220-3 Full Pack
Grundläggande produktnummer
IPA060

Datablad och dokument

Datablad
IPA060N06N
Datasheets
IPA060N06NXKSA1
HTML-Datasheet
IPA060N06NXKSA1-DG

Ytterligare information

Standard-paket
50
Andra namn
SP001099646
INFINFIPA060N06NXKSA1
2156-IPA060N06NXKSA1

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
infineon-technologies

IRFSL4229PBF

MOSFET N-CH 250V 45A TO262

infineon-technologies

IRF9328TRPBF

MOSFET P-CH 30V 12A 8SO

infineon-technologies

IRF9Z24NLPBF

MOSFET P-CH 55V 12A TO262

infineon-technologies

IRF9317TRPBF

MOSFET P-CH 30V 16A 8SO