Tillverkare Produktnummer:
IPA037N08N3GXKSA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPA037N08N3GXKSA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 80V 75A TO220-FP
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 80 V 75A (Tc) 41W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Inventarier:
436 Pcs Ny Original I Lager
12799822
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPA037N08N3GXKSA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tube
Serie
OptiMOS™
Produktens status
Not For New Designs
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
80 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
6V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
3.7mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 155µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
117 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
8110 pF @ 40 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
41W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
PG-TO220-FP
Paket / Fodral
TO-220-3 Full Pack
Grundläggande produktnummer
IPA037
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
50
Andra namn
IPA037N08N3G
IPA037N08N3 G-DG
INFINFIPA037N08N3GXKSA1
2156-IPA037N08N3GXKSA1
IPA037N08N3 G
SP000446772
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
TK100A08N1,S4X
Tillverkare
Toshiba Semiconductor and Storage
ANTAL TILLGÄNGLIGT
0
DEL NUMMER
TK100A08N1,S4X-DG
ENHETSPRIS
1.57
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IPAW60R600P7SE8228XKSA1
MOSFET N-CH 600V 6A TO220
IPA60R380C6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220-FP
IPA80R650CEXKSA1
MOSFET N-CH 800V 4.5A TO220
