Tillverkare Produktnummer:
IMW120R220M1HXKSA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IMW120R220M1HXKSA1-DG
Beskrivning:
SICFET N-CH 1.2KV 13A TO247-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 1200 V 13A (Tc) 75W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
Inventarier:
1290 Pcs Ny Original I Lager
12800959
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IMW120R220M1HXKSA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tube
Serie
CoolSiC™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
SiCFET (Silicon Carbide)
Tömning till källspänning (Vdss)
1200 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
15V, 18V
rds på (max) @ id, vgs
286mOhm @ 4A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.7V @ 1.6mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
8.5 nC @ 18 V
Vgs (max)
+23V, -7V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
289 pF @ 800 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
75W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
PG-TO247-3-41
Paket / Fodral
TO-247-3
Grundläggande produktnummer
IMW120
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
30
Andra namn
SP001946188
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IPB200N15N3GATMA1
MOSFET N-CH 150V 50A D2PAK
IPB65R110CFDATMA2
MOSFET N-CH 650V 31.2A TO263-3
IPD050N03LGBTMA1
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31