IMT65R039M1HXUMA1
Tillverkare Produktnummer:

IMT65R039M1HXUMA1

Product Overview

Tillverkare:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Delenummer:

IMT65R039M1HXUMA1-DG

Beskrivning:

SILICON CARBIDE MOSFET
Detaljerad beskrivning:
650 V Surface Mount PG-HSOF-8-1

Inventarier:

2000 Pcs Ny Original I Lager
12989138
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

IMT65R039M1HXUMA1 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolSiC™
Produktens status
Active
FET-typ
-
Teknik
SiCFET (Silicon Carbide)
Tömning till källspänning (Vdss)
650 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
-
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
18V
rds på (max) @ id, vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Vgs (max)
-
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
-
Drifttemperatur
-
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-HSOF-8-1
Paket / Fodral
8-PowerSFN

Ytterligare information

Standard-paket
2,000
Andra namn
448-IMT65R039M1HXUMA1DKR
448-IMT65R039M1HXUMA1CT
SP005716838
448-IMT65R039M1HXUMA1TR

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
2 (1 Year)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
infineon-technologies

IPTG044N15NM5ATMA1

TRENCH >=100V

utd-semiconductor

STD35NF06L

TO-252 MOSFETS ROHS

anbon-semiconductor

AS3401

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE

anbon-semiconductor

AS2312

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE