Tillverkare Produktnummer:
IAUS200N08S5N023ATMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IAUS200N08S5N023ATMA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 80V 200A HSOG-8
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 80 V 200A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount PG-HSOG-8-1
Inventarier:
552 Pcs Ny Original I Lager
12801006
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IAUS200N08S5N023ATMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
80 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
200A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
6V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
2.3mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 130µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
7670 pF @ 40 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
200W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gradera
Automotive
Kvalifikation
AEC-Q101
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-HSOG-8-1
Paket / Fodral
8-PowerSMD, Gull Wing
Grundläggande produktnummer
IAUS200
Datablad och dokument
Datasheets
HTML-Datasheet
Ytterligare information
Standard-paket
1,800
Andra namn
IAUS200N08S5N023ATMA1DKR
IAUS200N08S5N023ATMA1CT
SP001792362
IAUS200N08S5N023ATMA1TR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
IAUS300N08S5N012ATMA1
Tillverkare
Infineon Technologies
ANTAL TILLGÄNGLIGT
2284
DEL NUMMER
IAUS300N08S5N012ATMA1-DG
ENHETSPRIS
2.92
Ersättnings typ
Direct
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IPD06P003NSAUMA1
MOSFET P-CH 60V 22A TO252-3
IPA60R160C6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 23.8A TO220-FP
BSP92PH6327XTSA1
MOSFET P-CH 250V 260MA SOT223-4
