Tillverkare Produktnummer:
IAUC120N06S5N032ATMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IAUC120N06S5N032ATMA1-DG
Beskrivning:
MOSFET_)40V 60V)
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 60 V 120A (Tj) 94W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-34
Inventarier:
2487 Pcs Ny Original I Lager
12991576
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IAUC120N06S5N032ATMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™-5
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
120A (Tj)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
7V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
3.23mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.4V @ 44µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
47 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3446 pF @ 30 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
94W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TDSON-8-34
Paket / Fodral
8-PowerTDFN
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
5,000
Andra namn
SP005616399
448-IAUC120N06S5N032ATMA1CT
448-IAUC120N06S5N032ATMA1TR
448-IAUC120N06S5N032ATMA1DKR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IMYH200R075M1HXKSA1
SIC DISCRETE
IAUC120N06S5L015ATMA1
MOSFET_)40V 60V)
TJ20A10M3(STA4,Q
TJ20A10M3(STA4,Q