Tillverkare Produktnummer:
FS03MR12A6MA1LBBPSA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
FS03MR12A6MA1LBBPSA1-DG
Beskrivning:
SIC 6N-CH 1200V AG-HYBRIDD
Detaljerad beskrivning:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 400A Chassis Mount AG-HYBRIDD-2
Inventarier:
12996836
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
FS03MR12A6MA1LBBPSA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, FET, MOSFET-arrayer
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tray
Serie
HybridPACK™
Produktens status
Active
Teknik
Silicon Carbide (SiC)
Konfiguration
6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET-funktion
-
Tömning till källspänning (Vdss)
1200V (1.2kV)
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
400A
rds på (max) @ id, vgs
3.7mOhm @ 400A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.55V @ 240mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
1320nC @ 15V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
42500pF @ 600V
Effekt - Max
-
Drifttemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Chassis Mount
Paket / Fodral
Module
Paket för leverantörsenhet
AG-HYBRIDD-2
Grundläggande produktnummer
FS03MR12
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
6
Andra namn
448-FS03MR12A6MA1LBBPSA1
SP002725554
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IPG20N04S409AATMA1
MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
PMDPB95XNE2X
MOSFET 30V
EM6J1T2CR
MOSFET 2P-CH 20V EMT6
