Tillverkare Produktnummer:
BSZ123N08NS3GATMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
BSZ123N08NS3GATMA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 80V 10A/40A 8TSDSON
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 80 V 10A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 66W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Inventarier:
52793 Pcs Ny Original I Lager
12844871
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
BSZ123N08NS3GATMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
80 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
10A (Ta), 40A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
6V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
12.3mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 33µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1700 pF @ 40 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
2.1W (Ta), 66W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TSDSON-8
Paket / Fodral
8-PowerVDFN
Grundläggande produktnummer
BSZ123
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
5,000
Andra namn
BSZ123N08NS3GINCT-DG
BSZ123N08NS3GATMA1CT
BSZ123N08NS3GINTR-DG
BSZ123N08NS3GXT
BSZ123N08NS3 G
BSZ123N08NS3GINTR
BSZ123N08NS3G
BSZ123N08NS3GATMA1TR
SP000443632
BSZ123N08NS3GINCT
BSZ123N08NS3GATMA1DKR
BSZ123N08NS3GINDKR-DG
BSZ123N08NS3GINDKR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
AO4444
MOSFET N-CH 80V 11A 8SOIC
NTLGF3501NT1G
MOSFET N-CH 20V 2.8A 6DFN
AO4576
MOSFET N-CH 30V 20A 8SOIC
