Tillverkare Produktnummer:
BSZ0909NSATMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
BSZ0909NSATMA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 34V 9A/36A 8TSDSON
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 34 V 9A (Ta), 36A (Tc) 2.1W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Inventarier:
42043 Pcs Ny Original I Lager
12799150
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
BSZ0909NSATMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
34 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
9A (Ta), 36A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
12mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1310 pF @ 15 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
2.1W (Ta), 25W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TSDSON-8
Paket / Fodral
8-PowerTDFN
Grundläggande produktnummer
BSZ0909
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
5,000
Andra namn
BSZ0909NSDKR-DG
BSZ0909NSCT
BSZ0909NSCT-DG
2156-BSZ0909NSATMA1TR
SP000832568
BSZ0909NSDKR
BSZ0909NS
BSZ0909NSTR-DG
BSZ0909NSATMA1TR
BSZ0909NS-DG
BSZ0909NSATMA1CT
BSZ0909NSATMA1DKR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
BSL211SPT
MOSFET P-CH 20V 4.7A TSOP-6
BSL303SPEH6327XTSA1
MOSFET P-CH 30V 6.3A TSOP-6
IPA50R650CE
MOSFET N-CH 500V 6.1A TO220-FP
