Tillverkare Produktnummer:
BSZ0904NSIATMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
BSZ0904NSIATMA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSON
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 30 V 18A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 37W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
Inventarier:
14991 Pcs Ny Original I Lager
12824930
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
BSZ0904NSIATMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
30 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
18A (Ta), 40A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
4mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1463 pF @ 15 V
FET-funktion
Schottky Diode (Body)
Effektförlust (max)
2.1W (Ta), 37W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TSDSON-8-FL
Paket / Fodral
8-PowerTDFN
Grundläggande produktnummer
BSZ0904
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
5,000
Andra namn
BSZ0904NSIATMA1CT
SP000854390
BSZ0904NSIATMA1DKR
BSZ0904NSIDKR-DG
2156-BSZ0904NSIATMA1TR
BSZ0904NSIATMA1TR
BSZ0904NSITR
BSZ0904NSICT
BSZ0904NSI
BSZ0904NSIDKR
BSZ0904NSICT-DG
BSZ0904NSITR-DG
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SI3139K-TP
MOSFET P-CH 20V 660MA SOT723
SI2305B-TP
MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
SI2306-TP
MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23
