Tillverkare Produktnummer:
BSZ035N03MSGATMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
BSZ035N03MSGATMA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 30V 18A/40A 8TSDSON
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 30 V 18A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Inventarier:
11583 Pcs Ny Original I Lager
13064042
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
BSZ035N03MSGATMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Emballage
Tape & Reel (TR)
Status för delar
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
30 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
18A (Ta), 40A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
3.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
74 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5700 pF @ 15 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
2.1W (Ta), 69W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TSDSON-8
Paket / Fodral
8-PowerTDFN
Grundläggande produktnummer
BSZ035
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
5,000
Andra namn
2156-BSZ035N03MSGATMA1
BSZ035N03MSGATMA1DKR
BSZ035N03MSGXT
BSZ035N03MSGINDKR-ND
BSZ035N03MSGINCT
BSZ035N03MSG
BSZ035N03MSGINTR-ND
IFEINFBSZ035N03MSGATMA1
BSZ035N03MSGATMA1TR
SP000311511
BSZ035N03MSGATMA1CT
BSZ035N03MSGINDKR
BSZ035N03MS G
BSZ035N03MSGINCT-ND
BSZ035N03MSGINTR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IPDD60R080G7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 29A HDSOP-10
IRF1010NLPBF
MOSFET N-CH 55V 85A TO262
IRFS4410
MOSFET N-CH 100V 96A D2PAK
