Tillverkare Produktnummer:
BSZ031NE2LS5ATMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
BSZ031NE2LS5ATMA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 25V 19A/40A TSDSON
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 25 V 19A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
Inventarier:
5735 Pcs Ny Original I Lager
13063872
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
BSZ031NE2LS5ATMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Emballage
Tape & Reel (TR)
Status för delar
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
25 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
19A (Ta), 40A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
3.1mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
18.3 nC @ 10 V
Vgs (max)
±16V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1230 pF @ 12 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
2.1W (Ta), 30W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TSDSON-8-FL
Paket / Fodral
8-PowerTDFN
Grundläggande produktnummer
BSZ031
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
5,000
Andra namn
448-BSZ031NE2LS5ATMA1DKR
SP001385378
BSZ031NE2LS5ATMA1-ND
448-BSZ031NE2LS5ATMA1CT
448-BSZ031NE2LS5ATMA1TR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
BSP320S E6433
MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223-4
AUIRFR2905Z
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
BSC265N10LSFGATMA1
MOSFET N-CH 100V 6.5A/40A TDSON
