Tillverkare Produktnummer:
BSZ019N03LSATMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
BSZ019N03LSATMA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 30V 22A . 40A TSDSON
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 30 V 22A (Ta). 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
Inventarier:
89383 Pcs Ny Original I Lager
12799280
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
BSZ019N03LSATMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
30 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
22A (Ta). 40A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
1.9mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2800 pF @ 15 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
2.1W (Ta), 69W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TSDSON-8-FL
Paket / Fodral
8-PowerTDFN
Grundläggande produktnummer
BSZ019
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
5,000
Andra namn
BSZ019N03LSCT-DG
BSZ019N03LSCT
SP000792362
BSZ019N03LSATMA1DKR
BSZ019N03LS-DG
BSZ019N03LSATMA1TR
BSZ019N03LSDKR-DG
BSZ019N03LSATMA1CT
BSZ019N03LSTR-DG
BSZ019N03LS
BSZ019N03LSDKR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
BSZ120P03NS3GATMA1
MOSFET P-CH 30V 11A/40A 8TSDSON
BUZ31L H
MOSFET N-CH 200V 13.5A TO220-3
BSP320SL6433HTMA1
MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223-4
