Tillverkare Produktnummer:
BSS306NH6327XTSA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
BSS306NH6327XTSA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT23-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 30 V 2.3A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
Inventarier:
102998 Pcs Ny Original I Lager
12843804
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
BSS306NH6327XTSA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
30 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2.3A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
57mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 11µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
1.5 nC @ 5 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
275 pF @ 15 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
500mW (Ta)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-SOT23
Paket / Fodral
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Grundläggande produktnummer
BSS306
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
BSS306N H6327-DG
BSS306NH6327XTSA1TR
BSS306NH6327
BSS306N H6327DKR-DG
BSS306N H6327CT
BSS306NH6327XTSA1CT
SP000928940
BSS306N H6327DKR
BSS306NH6327XTSA1DKR
BSS306N H6327
BSS306N H6327CT-DG
BSS306N H6327TR-DG
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.21.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
BSC032N03SG
MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON
AUIRLR014NTRL
MOSFET N-CH 55V 10A DPAK
SCH1337-TL-H
MOSFET P-CH 30V 2A 6SCH
